Ion-Assisteret vakuumfordampningsudstyr

Ion-Assisteret vakuumfordampningsudstyr

Detaljer
Ion-Assisted Vakuum Evaporation System integrerer høj-vakuum termisk eller elektron-strålefordampningskilder med en Kaufman-type eller End-Hall-ionkilde. Ved at bombardere den voksende film med ioniseret gas (Ar eller O2) under fysisk dampaflejring (PVD), overfører systemet kinetisk energi til adatomer, undertrykker søjleformet mikrostruktur og forhindrer fugtabsorption i optiske og dielektriske tynde film.
Produkt klassificering
Ion-Assisteret fordampningsudstyr til tyndfilm
 
Send forespørgsel
Beskrivelse
Tekniske parametre

Ion-Assisted Vakuum Evaporation System integrerer høj-vakuum termisk eller elektron-strålefordampningskilder med en Kaufman-type eller End-Hall-ionkilde. Ved at bombardere den voksende film med ioniseret gas (Ar eller O2) under fysisk dampaflejring (PVD), overfører systemet kinetisk energi til adatomer, undertrykker søjleformet mikrostruktur og forhindrer fugtabsorption i optiske og dielektriske tynde film.


Bygget til renrumsintegration og kontinuerlig multi-skifteproduktion skalerer systemet fra R&D-fodaftryk (300 mm kamre) til industrielle linjer med høj-gennemstrømning (900 mm dobbelt-dørs- og planetrotationskonfigurationer).

 

Tekniske specifikationer

 

Parameterkategori

Teknisk specifikation

Kammerdimensioner

600 mm x 600 mm x 600 mm (kan tilpasses op til 1200 mm)

Kammermateriale

304L rustfrit stål, indvendige overflader elektropoleret til Ra < 0,2 um

Basistryk

<= 5.0 x 10^-5 Pa (Achieved within 45 minutes from atmosphere)

Ultimativt pres

<= 8.0 x 10^-6 Pa

Fordampningskilder

Multi-lomme E-strålepistol (6 x 15cc / 4 x 40cc) og resistive termiske kilder

Ion kilde

Slut-Hal/Gitterløs ionkilde (strålespænding: 50-300 V, ionstrøm: 0-500 mA)

Underlagsarmatur

Planetarisk rotationsmekanisme (0-20 RPM) med valgfri opvarmning (RT til 350 grader C)

Kontrol af filmtykkelse

Quartz Crystal Microbalance (QCM) med dobbelt sensorhoved og PID-controller med lukket-sløjfe

 

Nøglefunktioner


Tæt på-bulkdensitet:Forhøjet adatom-overflademobilitet eliminerer synlig filmporøsitet og maksimerer den mekaniske hårdhed.


Intrinsic Stress Tuning:Justerbar ionstråleenergi neutraliserer mekanisk stress og forhindrer delaminering på tykke dielektriske stakke.


Lav-termisk-budgetbehandling:Momentum-drevet fortætning muliggør høj-belægning på temperatur-følsomme polymersubstrater uden termisk forvrængning.


Automatisering af opskrifter:PLC-kontrollerede vakuumlåse og pumpe-down-sekvensering administreret via et industrielt touch--panel HMI med datalogning.

 

Konfiguration af vakuumsystem


Skrubbefase:Dobbelt-mekanisk roterende vingepumpe kombineret med en rodblæser (hastighed på 150 l/s) for hurtig overgang.


Højvakuumfase:Magnetisk leviteret turbomolekylær pumpe (1600 L/s) bakket op af en olie-fri tør scroll-pumpe for at eliminere tilbagestrømning af kulbrinter.


Kryogen mulighed:Flydende nitrogen kuldefælde og kryopumpe-integration til lavt vand-partialtryk.


Vakuummåling:Kryds-kalibrerede Pirani- og koldkatodemålere til-realtidsfeedback fra atmosfæren til 10^-7 Pa.

 

Fordampningsmaterialer og substratkompatibilitet


Fordampningsmaterialer
Oxider:
SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, Al2O3


Fluorider:MgF2, LaF3


Metaller:Al, Ag, Au, Ti, Cr


Substratkompatibilitet
Optiske underlag:
Fused silica, N-BK7, silicium, germanium og zinkselenidvinduer.


Halvlederskiver:100 mm til 300 mm silicium og sammensatte halvlederskiver.


Polymerer:PET-, PI- (polyimid)- og PMMA-film, der bruger lav-temperatur IAD-parametre.

 

Ansøgninger


Præcisionsoptik:Anti-reflekterende (AR) belægninger, laserspejle og smalle båndpasfiltre, der kræver modstand mod fugt.


Mikroelektronik:Metal gate-elektroder, adhæsionslag og passiveringsbarrierer i halvlederemballage.


Optoelektronik:Transparente ledende oxid-kontakter (TCO) og OLED-fugtigheds--barriereindkapslingslag.

 

Tilpasningsmuligheder


Kammergeometri:Rektangulære eller cylindriske konstruktioner skræddersyet til renrumsvægge.


Multi-kildeintegration:Sam-inddampningsopsætninger, der rummer op til tre E-strålekanoner og fire termiske både.


In-Situ Metrology Ports:Flangeintegrationsporte til spektroskopiske ellipsometre eller optiske overvågningssystemer.


Automatiseringsniveau:Semi-automatisk research builds eller fuldautomatisk håndtering af kassette-til-kassettewafer.

 

Kvalitetskontrol og testprotokoller


Lækagedetektion:Helium massespektrometertest på hvert kammer med en streng afvisningstærskel på < 1 x 10^-9 Pa*m^3/s.


Renlighedsbekræftelse:Residual Gas Analyser (RGA)-scanning udført før-afsendelse for at bekræfte nul organiske kulbrinter.


Systembrænd-In:72-timers kontinuerlig tørkørselstest af mekaniske drev, kølemanifolder og elektriske låse.


Dokumentation:Materialemølletestcertifikater (MTR'er), elektriske diagrammer og fabriksgodkendelsestest (FAT) rapporter.

 

Installation og teknisk support


Forberedelse af webstedet:Detailed facility guide covering floor loading, chilled water (>= 5 m^3/h), ren tør luft (CDA) og udstødning.


Idriftsættelse:Udrulning af feltservice til mekanisk nivellering, forsyningstilslutning, vakuumkalibrering og opskriftssignering-.


Operatøruddannelse:5-dages on-site program, der dækker drift, forebyggende vedligeholdelse, fejlfinding og sikkerhedslåse.


Reservedele:Kritiske sliddele (filamenter, QCM-krystaller, tætninger, turbomolekylære lejer) lagerføres regionalt.

 

Ofte stillede spørgsmål

 

Spørgsmål: Hvordan forhindrer IAD drift af brydningsindeks?

A: Ionbombardement fjerner indespærrede restgasser og komprimerer filmvækst til næsten -bulkdensitet. Dette stopper omgivende fugtkondensering ved atmosfærisk udluftning, hvilket sikrer nul center-bølgelængdeforskydning over tid.

Q: Hvad er vedligeholdelsesintervallet for ionkildegitre og filamenter?

A: Slut-Hallionkilder fungerer i 150-200 procestimer afhængigt af reaktive gasser. Quick-release klemmer tillader udskiftning af komponenter på under 30 minutter.

Q: Kan systemet håndtere reaktive processer som TiO2?

A: Ja. Dedikerede høj-præcisionsmassestrømsregulatorer (MFC'er) sprøjter oxygen eller nitrogen direkte ind i kammeret og ionkilden, hvilket sikrer fuldstændig støkiometri og eliminerer sub-oxidabsorption.

 

Populære tags: ion-understøttet vakuumfordampningsudstyr, Kina ion--assisteret vakuumfordampningsudstyr, producenter, leverandører, fabrik

Send forespørgsel
Kontakt oshvis du har spørgsmål

Du kan enten kontakte os via telefon, e-mail eller online formularen nedenfor. Vores specialist vil kontakte dig snarest.

Kontakt nu!