Ion-Assisteret tyndfilmaflejringssystem

Ion-Assisteret tyndfilmaflejringssystem

Detaljer
Ion-Assisted Thin Film Deposition System integrerer multi-lommeelektron-stråle/termisk fordampning med en høj-ydeevne End-Hall- eller Kaufman--ionkilde. Under fysisk dampaflejring (PVD) overfører energisk ionbombardement momentum direkte til atomer på substratoverfladen, hvilket eliminerer søjleformede mikrostrukturhulrum og producerer miljøstabile tynde film med høj-densitet.
Produkt klassificering
Ion-Assisteret fordampningsudstyr til tyndfilm
 
Send forespørgsel
Beskrivelse
Tekniske parametre

Industrielt ion-assisteret tyndfilmaflejringssystem


Ion-Assisted Thin Film Deposition System integrerer multi-lommeelektron-stråle/termisk fordampning med en høj-ydeevne End-Hall- eller Kaufman--ionkilde. Under fysisk dampaflejring (PVD) overfører energisk ionbombardement momentum direkte til atomer på substratoverfladen, hvilket eliminerer søjleformede mikrostrukturhulrum og producerer miljøstabile tynde film med høj-densitet.


Konstrueret til præcisionsoptikfremstilling, halvledermikroelektronik og avancerede F&U-faciliteter leverer denne platform streng batch-til-batch-repeterbarhed for komplekse optiske interferensfiltre, hårde beskyttende overtræk og halvlederpassiveringslag.

 

Tekniske specifikationer

 

Parameter

Specifikation

Kammerdimensioner

Φ 600 mm × 600 mm (brugerdefineret skalering tilgængelig op til Φ 1200 mm)

Ultimativt basistryk

< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (Fully baked, dry pumping architecture)

Vakuumpumpesuite

1600 L/s magnetisk leviteret turbomolekylær pumpe understøttet af en olie-frie rødder/scroll-tørpumpekombination

Fordampningskilder

Multi-lomme E-strålepistol (4 × 10 kW fejekontrol) og termiske modstandskilder

Ionkildekonfiguration

Gridless End-Hall / Gridded Kaufman-kilde (stråleenergi: 50–1500 eV, ionstrøm: op til 250 mA)

Underlagsarmatur

Planetrotationstrin med variabel-hastighed med integreret substratopvarmning op til 350 grader

Filmtykkelsesensartethed

< ± 1% (measured across Φ 400 mm effective deposition zone)

Proceskontrolsystem

PLC-kerne integreret med en industriel pc, der kører opskrift-drevet SCADA-automatiseringssoftware

 

Nøglefunktioner


Momentum-Forbedret mikrostruktur:Kontrolleret ionassistance øger adatom-overflademobiliteten, undertrykker effektivt porøs søjleformet kornvækst og eliminerer brydningsindeksforskydninger forårsaget af fugtabsorption.


Dobbelt-kanaltykkelsesfeedback:Integrerer dual quartz crystal microbalance (QCM)-prober sammen med bredbåndsoptisk overvågning (BOM)-porte til real-nanometer-skalatykkelse og -hastighedsregulering.


Ultra-rent vakuumkammer:Konstrueret af 304L rustfrit stål med indvendig elektro-poleret finish, metal-forseglede VAT-ventiler og pneumatiske metal-pakningsflanger for at minimere udgasning.


Lukket-Loop Reactive Gas Regulation:Høj-præcisionsmassestrømsregulatorer (MFC'er) måler reaktive oxygen-, nitrogen- og argongasser med sub-sccm-opløsning for at sikre støkiometriske sammensatte lag.

 

Konfiguration af vakuumsystem


Skrubbelinje:Hermetisk forseglede, olie-fri tørre scroll-pumper eliminerer risikoen for kulbrinteforurening i skrub- og forliniestadier.


Højvakuumintegration:Maglev turbomolekylære pumper koblet direkte til hovedkammeret via pneumatiske skydeventiler med høj-konduktans maksimerer pumpehastigheden for proces- og resterende vanddampe.


Vakuum diagnostik:Redundante Pirani- og Cold Cathode-målere giver kontinuerlig,-krydskalibreret tryklogning fra atmosfæren ned til 10⁻⁷ Pa.

 

Fordampningsmaterialer og substratkompatibilitet


Fordampningsmaterialer:Dielektriske oxider: SiO2, TiO2, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, Al2O3


Fluorider:MgF2, LaF3


Ildfaste metaller:Au, Ag, Al, Ti, Cr, NiCr


Substratundertyper:Optiske glasemner (BK7, smeltet silica, kvarts), halvlederskiver (Silicon, GaAs), enkelt-krystalsubstrater (LiNbO₃, safir) og præcisionsmetalkomponenter.

 

Ansøgninger


Præcisionsoptik:Narrowband wavelength-division multiplexing (WDM)-filtre, laserlinjespejle og holdbare anti-refleksionsbelægninger (AR) til høj-lasersystemer.


Halvlederfremstilling:Gate-oxid-dielektrik, metalforbindelsesadhæsionsfrølag og fugt-barrierepassiverende overtræk.


Avanceret optoelektronik:Tynd-filmpolarisatorer, bølgelederbeklædningslag og transparent ledende oxid (TCO) berøringspanelfilm-.

 

Tilpasning


Kammerskabe:Lodrette cylinderklokke-krukker, dobbelt-firkantede bokskonfigurationer eller renrumsdesign-gennemgang.


Kildemodularitet:Brugerdefinerede digellommerantal, sekundær magnetronforstøvningskatodeintegration eller specialiserede RF-forspændingseffektopsætninger.


Automationsarkitektur:Skræddersyet PLC-interlock-logik, SCADA-sikkerhedstilladelsesniveauer og SECS/GEM-værtsdata-loggingsprotokoller.

 

Kvalitetskontrol


Komponentvalidering:Alle strukturelle flanger, vakuumgennemføringer, kraftelektronik og massestrømscontrollere gennemgår individuelle dimensionelle og elektriske prøvebænke før montering.


Lækagecertificering:Samlede kamre gennemgår helium massespektrometer lækagetest; afvisningstærsklen skal forblive under 1,0 × 10⁻⁹ Pa·m³/s.


Fabriksaccepttest (FAT):En obligatorisk 72-timers kontinuerlig tør-kørselsvalidering, der dækker pumpende nedtrækningskurver, multi-akse planetarisk rotationsmekanik, sammenlåste sikkerhedsløkker og e-beam emissionsstabilitet.

 

Installation og teknisk support


Dokumentation:Sendes med mekaniske samlingstegninger, elektriske skemaer, P&ID-layouts, PLC-logiske kilderegistre og vejledninger til forebyggende vedligeholdelse.


Idriftsættelse på-stedet:Feltserviceingeniører dirigerer mekanisk positionering, forsyningsforbindelser (strøm, kølevand, trykluft) og indledende systemudløsning.-


Procestræning:Inkluderer baseline-kalibreringskørsler, indstilling af ionkildeparameter og træning af operatørsikkerhedsprotokol.


Livscykluspleje:Fjerndiagnosesupport via krypterede VPN-moduler, regional reservedelslager og planlagte kalibreringsaudits.

 

FAQ

 

Spørgsmål: Hvordan overvåges lagtykkelsen under flere-lagsaflejringer?

Sv: Systemet bruger dobbelte kvartskrystalmikrobalancer (QCM) til sporing af-realtidshastighed og tykkelse. Til komplekse optiske interferensstabler integreres den med optiske bredbåndsovervågningssystemer for at korrigere lagtermineringspunkter direkte fra spektrale transmissionskurver.

Sp.: Hvilken forsyningsinfrastruktur er påkrævet på installationsstedet?

A: Elektrisk forsyning: 3-faset, 380V / 480V, 50/60Hz (konfigureret i henhold til regionale netstandarder).
Kølevand: Temperatur 15–20 grader, minimum flowhastighed 30 L/min, forsyningstryk 0,3–0,4 MPa.
Process Gases: Ultra-high purity (>99,999%) Ar, O2 og N2 reguleret rent til 0,15 MPa.

Q: Hvad er standardgennemløbstiden fra ordrebekræftelse til levering?

A: Standardkonfigurationer kræver typisk 16 til 20 uger. Fuldt tilpassede kammerdimensioner eller multi-integrationsplatforme kræver 24 til 30 uger, afhængigt af konstruktionsdesign-af og specialiseret komponentanskaffelse.

 

Populære tags: ion-assisteret tyndfilmaflejringssystem, Kina -assisteret tyndfilmaflejringssystem, producenter, leverandører, fabrik

Send forespørgsel
Kontakt oshvis du har spørgsmål

Du kan enten kontakte os via telefon, e-mail eller online formularen nedenfor. Vores specialist vil kontakte dig snarest.

Kontakt nu!