IBAE-systemet kombinerer elektron-stråle eller termisk fordampning med en integreret bred- ionkilde. Samtidig ionbombardement under filmvækst overfører kinetisk energi til kondenserende adatomer, eliminerer søjleformede mikrostrukturer og producerer tætte-bulk-densitets tynde film med minimal fugt-induceret spektralforskydning.
Tekniske specifikationer
|
Parameter |
Specifikation |
|
Basistryk |
<= 5.0 x 10^(-5) Pa (achieved within 35 minutes) |
|
Arbejdstryk |
1,0 x 10^(-1) til 1,0 x 10^(-2) Pa |
|
Ionkildetype |
Gridless End-Hall / Kaufmann Ion Source |
|
Ionstråleenergi |
50 eV til 1500 eV (lukket-sløjfe stabiliseret) |
|
Ionstrålestrømtæthed |
0 til 2,5 mA/cm^2 |
|
Fordampningskilder |
Multi-lomme E-strålepistol (4 x 15 cc til 6 x 40 cc) / modstandsbåde |
|
Underlagsholder |
Planetrotationsarmatur med opvarmning op til 300 grader C |
|
Ensartethed i tykkelse |
<= plus/minus 0.5 percent over 400 mm diameter |
|
Kontrolsystem |
Siemens S7-1500 PLC + Industriel PC (Inficon deposition controller) |
Nøglefunktioner
Dobbelt-Mode Bombardement:Kinetisk energioverførsel fortætter film ved lave substrattemperaturer og beskytter sarte optik og polymersubstrater.
Lukket-løkke-ionstabilisering:Integrerede massestrømsregulatorer opretholder konstant ionflux gennem lange produktionskørsler, hvilket sikrer batch-konsistens.
Modulært vakuumkammer:304L rustfri stålstruktur med elektro-poleret inderside (Ra<= 0.2 um) and Conflat metal seals.
Automatiseret sekvensering:PLC-styret pumpe-ned-, afsætnings- og udluftningscyklusser minimerer driftsvariationen.
Konfiguration af vakuumsystem
Skrubbepumper:Olie-fri tørre rødder og roterende vingepumper.
Højvakuumpumpe:Magnetisk leviteret turbomolekylær pumpe (1600 L/s).
Målere:Kombinations Pirani, kold katode og Baratron kapacitans manometre.
Ventilering:Pneumatisk låge og vinkelventiler med hardware sikkerhedslåse.
Fordampningsmaterialer og substratkompatibilitet
Oxider:SiO2, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, Al2O3
Fluorider:MgF2, LaF3
Metaller:Au, Ag, Al, Ti, Cr
Underlag:Fusioneret silica, BK7, siliciumwafers, germanium, zinkselenid (ZnSe) og varme-resistent polyimid.
Ansøgninger
Præcisionsoptik:Smalbåndspasfiltre og DWDM-belægninger, der kræver stabile centerbølgelængder.
Laser optik:Høje-skade-reflektorer og anti-refleksbelægninger.
Halvleder og fotonik:Dielektriske beskyttende lag, passivering og optiske bølgeledere.
Solenergi:Transparent conductive oxide (TCO) grænseflademodifikation.
Tilpasning
Kammerstørrelse:Skalerbare diametre fra 600 mm til 1200 mm.
Kildelayout:Op til tre e-strålekanoner og flere termiske kilder pr. platform.
In-Situ Metrology:Bredbåndsoptisk overvågning (BOM) eller quartz crystal microbalance (QCM) integration.
Automatisering:Robotbaserede substratbelastningsgrænseflader, der er i overensstemmelse med SEMI-standarder.
Kvalitetskontrol
Lækagedetektion:Helium massespektrometer test pr. kammer (følsomhed<= 1 x 10^(-10) Pa*m^3/s).
Komponentkilde:Tier-1 industrielle mærker (Inficon, MKS, Edwards, Siemens).
Fabriksaccept (FAT):72-timers kontinuerlig tørkørsel og verifikationsbelægning, der måler brydningsindeks og ensartethed før afsendelse.
Installation og teknisk support
Dokumentation:Komplet engelsk pakke inklusive elektriske skemaer, P&ID-diagrammer og PLC-kildekoder.
Marktjenester:Nøglefærdig installation, vakuumkalibrering og opskriftsjustering af applikationsingeniører.
Fjerndiagnostik:Sikkert VPN-modul til software- og procesfejlfinding.
FAQ
Q: Hvordan ændrer ionassistance oxidets brydningsindeks?
A: Energisk ionbombardement udstøder indespærrede restgasser og fortætter mikrostrukturen, hvilket flytter brydningsindekset for film som Ta2O5 og TiO2 tættere på bulkværdier.
Q: Hvad er det typiske vedligeholdelsesinterval for ionkilden?
A: Vedligeholdelsesintervaller spænder fra 150 til 300 behandlingstimer, afhængigt af procesgasser og driftseffekttæthed.
Q: Kan dette system styre reaktive gasprocesser?
A: Ja. Uafhængige massestrømsregulatorer injicerer reaktive gasser (O2, N2) direkte ind i ionkilden og kammerzonerne, sammenlåst med sikkerhedspressostater.
Populære tags: ionstråleassisteret fordampningsudstyr, Kina ionstråleassisteret fordampningsudstyr, producenter, leverandører, fabrik
