Elektronstråle tyndfilm aflejringssystem

Elektronstråle tyndfilm aflejringssystem

Detaljer
Electron Beam Thin Film Deposition System leverer retningsbestemt PVD-behandling med høj-renhed til avanceret forskning og industriel produktion. Ved at bruge en fokuseret, magnetisk styret elektronstråle rettet mod kildematerialet inde i en vand-kølet kobberdigel opnår systemet termisk fordampning af ildfaste metaller, oxider og dielektriske forbindelser uden digelforurening.
Produkt klassificering
Elektronstrålefordampning tyndfilmsudstyr
 
Send forespørgsel
Beskrivelse
Tekniske parametre

Electron Beam Thin Film Deposition System leverer retningsbestemt PVD-behandling med høj-renhed til avanceret forskning og industriel produktion. Ved at bruge en fokuseret, magnetisk styret elektronstråle rettet mod kildematerialet inde i en vand-kølet kobberdigel opnår systemet termisk fordampning af ildfaste metaller, oxider og dielektriske forbindelser uden digelforurening.


Konstrueret til renrumsintegration kombinerer arkitekturen modulære vakuumkamre, multi-lomme E-strålekanoner og lukket-sløjfeprocesautomatisering for at styre filmtykkelse, støkiometri og grænsefladeskarphed.

 

Tekniske specifikationer

 

Parameter

Specifikationsområde / detaljer

Ultimativt basistryk

< 5 x 10^-7 Torr (Cryogenic or turbomolecular configurations)

Pumpe-nedetid

< 15 minutes to 1 x 10^-5 Torr (Clean, dry, empty chamber)

E-Beam Gun Power

3 kW til 10 kW (Multi-pocket sweep controller med auto-sweep)

Digelkonfiguration

4 til 6 lommer; 7 cc til 40 cc kapacitet pr. lomme

Underlagsholder

Rotations-aktiveret, vand/varmer-kontrollerede trin, der understøtter op til 200 mm wafers eller tilpassede flade underlag

Filmtykkelsesensartethed

< +/- 1% across a 100 mm deposition area (Optimized via planetary fixture or source-to-substrate distance)

Deponeringshastighedskontrol

0,01 nm/s til 10 nm/s reguleret via dobbelt-kanals Quartz Crystal Microbalance (QCM)

Kammermateriale

304L rustfrit stål, elektropoleret (Ra < 0,25 um), indvendige svejsninger med høj-vakuum

 

Nøglefunktioner


270-graders magnetisk afbøjning:Bøjer elektronbanen for at afskærme emitterfilamentet mod direkte dampflux, forlænger driftslevetiden og stabiliserer emissionsstrømmen.


Digital fejekontrol:Programmerbare strålemønstre eliminerer lokaliseret digeltunnel og opretholder ensartet materialeforbrug på tværs af multi-lomme-ildsteder.


Closed-Loop QCM Regulation:Dobbelt-sensorfeedback justerer dynamisk strømforsyningsoutput for at stabilisere aflejringshastigheder og undertrykke legeringsstøkiometridrift.


PLC interlock arkitektur:Real-overvågning af kølevandsflow, høj-spændingsisolering, dørtætninger og forlinjetryk for at beskytte operatører og vakuumintegritet.


Hjælpedeponeringshavne:Flangeadgangspunkter understøtter sekundær integration, herunder termiske både, ion-assisteret deposition (IAD) gitter-ionkanoner og magnetronforstøvningskatoder.

 

Konfiguration af vakuumsystem


Skrubbefase:Olie-fri rullepumpe parret med en rodblæser opnår vibrations-isoleret skrubning ned til 10^-2 Torr, hvilket eliminerer kulbrinte-backstreaming.


Højt-vakuumtrin:Turbomolekylær pumpe (1200 L/s til 2200 L/s) understøttet af en kryogen fælde, der opretholder operationelle procestryk mellem 10^-6 og 10^-4 Torr.


Kammerkonstruktion:Dobbelt-O-ringforseglet, stress-aflastet 304L rustfrit stål med elektropolerede indvendige overflader for at minimere afgasning og fastholdelse af fugt.

 

Filmmaterialer og underlag


Kompatible aflejringsmaterialer
Ildfaste metaller:
Titan (Ti), Chrom (Cr), Tantal (Ta), Molybdæn (Mo), Wolfram (W), Platin (Pt), Guld (Au).


Dielektrik og oxider:Siliciumdioxid (SiO2), Titaniumdioxid (TiO2), Tantalpentoxid (Ta2O5), Aluminiumoxid (Al2O3), Hafniumdioxid (HfO2).


Kompatible underlag
Halvlederwafere (Si, GaAs, InP, 2-tommer til 8-tommer).


Optiske glasemner, kvarts, smeltet silica og safirvinduer.


Fleksible metalfolier og keramiske underlag (Al2O3).

 

Ansøgninger


Halvlederfremstilling:Metalportkontaktaflejring, barrierelag og løft-af metalliseringsstabler til mikroelektronisk forskning og pilotlinjer.


Præcisionsoptik:Optiske interferensfiltre med flere-lag, anti-reflekterende (AR) belægninger, høj-laserspejle og strålesplittere.


Optoelektronik:Transparente ledende elektroder og tynde-filmlag til OLED-skærme, fotodetektorer og solceller.


Avancerede materialer:Magnetisk legeringsvækst, superlederprækursorer og slidbestandige-beskyttende belægninger.

 

Tilpasningsmuligheder


Kammerets dimensioner:Skaleret lodrette eller vandrette volumener til at passe til ikke-standard industriarmaturer eller paneler med store-arealer.


Sam-Fordampningsopsætninger:Integration af flere E-strålekanoner og termiske effusionsceller til kompleks legeringssyntese.


Indlæs-låsintegration:Manuelle eller automatiserede lineære overføringsarme for at opretholde høj-vakuumintegritet under høj-gennemstrømning af wafer.


Softwareintegration:SCADA brugerdefinerede protokoller, der understøtter opskriftsredigering, revisionslogning og SECS/GEM fabriksautomatiseringsstandarder.

 

Kvalitetskontrol


Helium lækagedetektion:Massespektrometertestning sikrer, at kammersvejselækager forbliver under 1 x 10^-9 atm*cm3/sek.


Elektrisk verifikation:Høj-isolationstest, jordkontinuitetstjek og validering af interlock-respons i henhold til industrielle sikkerhedskoder.


Fabriksaccepttest (FAT):72-timers kontinuerlig operationel burn-in-registrering af ultimative vakuumkurver, pistoludstødningsstabilitet og automatiseret opskriftsudførelse før forsendelse.

 

Installation og teknisk support


Før-installationsvejledning:Detaljeret dokumentation, der dækker lukkede-sløjfer for kølet vand, udsugningsventilation, krav til elektrisk belastning (380V/480V 3-faset) og gulvbelastning i renrum.


Felt idriftsættelse:Mekanisk positionering på-stedet, vakuumledningsbindinger-, elektriske tilslutninger og baseline-kalibrering udført af fabriksserviceteknikere.


Operationel træning:Praktisk-instruktion, der dækker udskiftning af filamenter, genindlæsning af digel, QCM-kalibrering og rutinemæssig PLC-fejlfinding.

 

FAQ

 

Q: Hvad er standardpumpens-nedetid fra atmosfære til driftstryk?

A: Med et rent, tørt kammer og standard turbomolekylær opsætning når systemet et operationelt basistryk på 5 x 10^-6 Torr på under 15 minutter.

Sp.: Kan systemet konfigureres til sam{0}}deponering?

A: Ja. Multi-kanonkonfigurationer eller kombinerede E-stråle- og termiske kildeopsætninger tillader samtidig sam-fordampning med uafhængige hastighedsregulatorer.

Q: Hvilke faciliteter kræves der?

Sv: Nødvendige forsyninger omfatter lukket-sløjfe afkølet vand (~20 grader C, 0,3 MPa), trykluft (0,6 MPa) til pneumatiske ventiler, N2-udluftningsledninger og dedikeret 3-faset elektrisk strøm, der matcher den valgte strømforsyning (3 kW til 10 kW).

Spørgsmål: Hvordan forhindres kryds-kontamination mellem forskellige kildematerialer?

A: Multi-lomme-ilden bruger en vand-kølet kobbersamling med indekserbar lommerotation, fysisk og termisk isolerende materialer, suppleret med tilpasset afskærmning for at stoppe kryds-flux.

 

Populære tags: elektronstråle tyndfilm aflejringssystem, Kina elektronstråle tyndfilm aflejringssystem producenter, leverandører, fabrik

Send forespørgsel
Kontakt oshvis du har spørgsmål

Du kan enten kontakte os via telefon, e-mail eller online formularen nedenfor. Vores specialist vil kontakte dig snarest.

Kontakt nu!